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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence properties of tensile-strained GaAsP/GaInP single quantum wells grown by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 7026-7031 part 1 Zhong, L; Ma, XY 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/03/08 tensile strain  GaAsP/GaInP  photoluminescence  quantum well  laser diodes  LP-MOCVD   Low threshold lasing of GaN-based vertical cavity surface emitting lasers with an asymmetric coupled quantum well active region 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 19, 页码: art. no. 191118 Zhang JY; Cai LE; Zhang BP; Li SQ; Lin F; Shang JZ; Wang DX; Lin KC; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：27/1  |  提交时间：2010/03/08 gallium compounds