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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2005    内容类型：期刊论文    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 磁随机存储器的研究进展 期刊论文 磁性材料及器件, 2005 孔令刚; 韩汝琦 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/10/23 磁随机存储器  磁隧穿结  隧穿磁电阻   电脉冲诱发电阻记忆氧化物多层膜的TEM研究 期刊论文 电子显微学报, 2005 陈清; 张月; 陈新 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/10/24 掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善 期刊论文 物理学报, 2005 黄伟; 张利春; 高玉芝; 金海岩 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/11 镍硅化物  快速热退火  x射线衍射分析  卢瑟福背散射  Ni silicide  rapid thermal annealing  X-ray diffraction  Rutherford backscattering spectrometry   深槽Ni(Pt)Si/Si肖特基二极管特性研究 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2005 张慧; 张利春; 高玉芝; 金海岩 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/11 肖特基二极管  镍硅  镍(铂)硅  深槽   Ni(Pt)Si硅化物温度稳定性的研究 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2005 黄伟; 张利春; 高玉芝; 金海岩; 卢建政; 张慧 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/11 镍硅化物  快速热退火  X射线衍射分析  卢瑟福背面散射分析   应用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺 期刊论文 半导体学报, 2005 韩翔; 李轶; 吴文刚; 闫桂珍; 郝一龙 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/12 单晶硅 无电镀 铜 镍 MEMS电感 品质因数   压电射流角速度传感器敏感机理的有限元分析 期刊论文 压电与声光, 2005 朴林华; 张滨; 张金铎; 张福学 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/12 有限元法  气体摆  对流场  敏感机理   用深反应离子刻蚀和介质填充技术制造具有高深宽比的超深电隔离槽 期刊论文 半导体学报, 2005 朱泳; 闫桂珍; 王成伟; 杨振川; 范杰; 周健; 王阳元 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/12 深反应离子刻蚀 电隔离槽 体微结构 单片集成 deep reactive ion etching electrical isolation trenches bulk microstructures monolithic integration   Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性 期刊论文 半导体学报, 2005 黄伟; 卢建政; 张利春; 高玉芝; 金海岩 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/12 Ni(Zr)Si 热稳定性 X射线衍射 Raman光谱 肖特基二极管