应用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺

doi:10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.040

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	应用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺; Electroless Copper and Nickel Plating on Single-Crystal Silicon for MEMS Applications
	韩翔 ; 李轶 ; 吴文刚 ; 闫桂珍 ; 郝一龙
刊名	半导体学报
	2005
关键词	单晶硅无电镀铜镍 MEMS电感品质因数
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.040
英文摘要	开发了单晶硅上的选择性无电镀铜、镀镍工艺,形成了较为优化的施镀流程,实现了保形性、均镀性较好的铜、镍及其复合镀层.其中针对单晶硅表面的特点,采取了浓酸处理和氧等离子轰击两种表面预处理方法,优化了氯化钯对表面的激活时间,使得镀层质量得到提高.提出了以镍作为中间层以减小镀层应力的方法,施镀后获得的铜镀层的电阻率为2.1μΩ·cm,铜/镍复合镀层的方块电阻为0.19Ω/□.在单晶硅MEMS电感结构上实现了较好的无电镀铜,使得该元件的品质因数超过25.; 国家自然科学基金; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 5; 1059-1064; 26
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/229846]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	韩翔,李轶,吴文刚,等. 应用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺, Electroless Copper and Nickel Plating on Single-Crystal Silicon for MEMS Applications[J]. 半导体学报,2005.
APA	韩翔,李轶,吴文刚,闫桂珍,&郝一龙.(2005).应用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺.半导体学报.
MLA	韩翔,et al."应用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺".半导体学报 (2005).