用深反应离子刻蚀和介质填充技术制造具有高深宽比的超深电隔离槽

doi:10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.004

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	用深反应离子刻蚀和介质填充技术制造具有高深宽比的超深电隔离槽; Fabrication of Ultra Deep Electrical Isolation Trenches with High Aspect Ratio Using DRIE and Dielectric Refill
	朱泳 ; 闫桂珍 ; 王成伟 ; 杨振川 ; 范杰 ; 周健 ; 王阳元
刊名	半导体学报
	2005
关键词	深反应离子刻蚀电隔离槽体微结构单片集成 deep reactive ion etching electrical isolation trenches bulk microstructures monolithic integration
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.004
英文摘要	提出了一种利用深反应离子刻蚀(DRIE)和电介质填充方法来制造具有高深宽比的深电学隔离槽的新型技术.还详细讨论了DRIE刻蚀参数与深槽侧壁形状之间的关系,并作了理论上的阐述.采用经过参数优化的DRIE刻蚀深硅槽,并用反应离子刻蚀(RIE)对深槽开口形状进行修正,制造了具有理想侧壁形状的深槽,利于介质的完全填充,避免产生空洞.电隔离槽宽5μm,深92μm,侧壁上有0.5μm厚的氧化层作为电隔离材料.I-V测试结果表明该隔离结构具有很好的电绝缘特性:0～100V偏压范围内,电阻大于1011Ω,击穿电压大于100V.电隔离深槽被首次应用于体硅集成微机械陀螺仪上的微机械结构与电路之间的电气隔离与机械连接,该陀螺的性能得到了显著提高.; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 1; 16-21; 26
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/281343]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	朱泳,闫桂珍,王成伟,等. 用深反应离子刻蚀和介质填充技术制造具有高深宽比的超深电隔离槽, Fabrication of Ultra Deep Electrical Isolation Trenches with High Aspect Ratio Using DRIE and Dielectric Refill[J]. 半导体学报,2005.
APA	朱泳.,闫桂珍.,王成伟.,杨振川.,范杰.,...&王阳元.(2005).用深反应离子刻蚀和介质填充技术制造具有高深宽比的超深电隔离槽.半导体学报.
MLA	朱泳,et al."用深反应离子刻蚀和介质填充技术制造具有高深宽比的超深电隔离槽".半导体学报 (2005).