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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2005    学科主题：Engineering (provided by Thomson Reuters)     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1464-1468 作者:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/29 运算放大器  60Coγ辐照  退火  剂量率效应   预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 111-114 作者:  崔帅;  余学峰;  任迪远;  张华林;  艾尔肯 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/29 预先老化  辐照  注F  可靠性   80C31单片机电路总剂量效应研究 期刊论文 微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 584-586,590 作者:  匡治兵;  郭旗;  任迪远;  李爱武;  汪东 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/11/29 单片机  60Coγ辐照  辐射损伤  退火   双极晶体管不同剂量率的辐射效应和退火特性 期刊论文 核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 925-928 作者:  陆妩;  余学锋;  任迪远;  艾尔肯;  郭旗 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/11/29 双极晶体管  60Coγ辐照  剂量率效应  退火   JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性 期刊论文 核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 755-760 作者:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/29 JFET输入双极运算放大器  60Coγ辐照  剂量率效应  退火