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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2002    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth mode and strain evolution during inn growth on gan(0001) by molecular-beam epitaxy 期刊论文 Applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 21, 页码: 3960-3962 作者:  Ng, YF;  Cao, YG;  Xie, MH;  Wang, XL;  Tong, SY 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Investigation of gan layer grown on si(111) substrate using an ultrathin aln wetting layer 期刊论文 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 77-84 作者:  Lu, Y;  Liu, XL;  Lu, DC;  Yuan, HR;  Chen, Z 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Substrates  Heteroepitaxy  Metalorganic chemical vapor deposition  Gallium compounds  Nitrides   Growth and structural properties of gan films on flat and vicinal sic(0001) substrates 期刊论文 International journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 1-2, 页码: 165-172 作者:  Xie, MH;  Cheung, SH;  Zheng, LX;  Tong, SY;  Zhang, BS 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates 会议论文 international conference on material for advanced technologies, singapore, singapore, jul 01-06, 2001 Xie MH; Cheung SH; Zheng LX; Tong SY; Zhang BS; Yang H 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Investigation of GaN layer grown on Si(111) substrate using an ultrathin AlN wetting layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 77-84 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：76/5  |  提交时间：2010/08/12 substrates  heteroepitaxy  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  nitrides  INTERMEDIATE LAYER  EPITAXIAL-GROWTH  SILICON  SAPPHIRE  FILM   Growth mode and strain evolution during InN growth on GaN(0001) by molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 21, 页码: 3960-3962 Ng YF; Cao YG; Xie MH; Wang XL; Tong SY 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 MISFIT DISLOCATIONS  DEFECTS  INGAN  GAN  REDUCTION  INDIUM  LAYERS  FILMS   Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  etching  metalorganic vapor-phase epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  DISLOCATIONS  DENSITY  GROWTH  LAYERS   Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 124-128 Zheng XH; Feng ZH; Wang YT; Zheng WL; Jia QJ; Jiang XM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：126/0  |  提交时间：2010/08/12 nucleation layers  X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  nitrides  LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AIN BUFFER LAYER  GROWN GAN  SAPPHIRE SUBSTRATE  QUALITY  FILMS  BLUE  TEMPERATURE  EVOLUTION   Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates 期刊论文 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 1-2, 页码: 165-172 Xie MH; Cheung SH; Zheng LX; Tong SY; Zhang BS; Yang H 收藏  |  浏览/下载：141/42  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY