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浏览/检索结果: 共46条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1997     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Semiconductor photonic integrated circuit and fabrication process therefor 专利 专利号: US5703974, 申请日期: 1997-12-30, 公开日期: 1997-12-30 作者:  SASAKI, TATSUYA;  TAKEUCHI, TAKESHI 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26 光学素子及びその製造方法 专利 专利号: JP1997331108A, 申请日期: 1997-12-22, 公开日期: 1997-12-22 作者:  関口 利貞 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 光半導体素子の製造方法 专利 专利号: JP2725449B2, 申请日期: 1997-12-05, 公开日期: 1998-03-11 作者:  北村 光弘;  佐々木 達也 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 High energy ion implantation enhanced intermixed quantum well structures and their absorption characteristics in passive optical waveguides 期刊论文 Nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1997, 卷号: 132, 期号: 4, 页码: 599-606 作者:  Han, DJ;  Chan, KT;  Zhuang, WR;  Wang, WX 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 半導体発光素子の製造方法 专利 专利号: JP2714642B2, 申请日期: 1997-11-07, 公开日期: 1998-02-16 作者:  田中 一弘 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子および光結合装置 专利 专利号: JP1997289354A, 申请日期: 1997-11-04, 公开日期: 1997-11-04 作者:  西川 透;  宇野 智昭;  東門 元二;  鬼頭 雅弘 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザの製造方法 专利 专利号: JP2699848B2, 申请日期: 1997-09-26, 公开日期: 1998-01-19 作者:  山根 正宏 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 Substrate holder for MOCVD 专利 专利号: GB2277748B, 申请日期: 1997-09-24, 公开日期: 1997-09-24 作者:  NOBUAKI, , KANENO;  HIROTAKA, , KIZUKI;  MASAYOSHI, , TAKEMI;  KENZO, , MORI 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 モード同期半導体レーザ及び繰返し周波数の可変方法 专利 专利号: JP1997252159A, 申请日期: 1997-09-22, 公开日期: 1997-09-22 作者:  荒平 慎;  松井 康浩;  小川 洋 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ装置 专利 专利号: JP2681909B2, 申请日期: 1997-08-08, 公开日期: 1997-11-26 作者:  松井 康;  宇野 智昭;  石野 正人 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13