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MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究 期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 897
作者:  牛智川
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HEMT材料的电子辐射效应 期刊论文
四川大学学报. 自然科学版, 1995, 卷号: 32, 期号: 1, 页码: 39
林理彬; 李有梅; 陈卫东; 蒋锦江; 孙梅影
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