HEMT材料的电子辐射效应

	HEMT材料的电子辐射效应
	林理彬 ; 李有梅 ; 陈卫东 ; 蒋锦江 ; 孙梅影
刊名	四川大学学报. 自然科学版
	1995
卷号	32 期号:1 页码:39
中文摘要	用能量为1～1．8MeV、注量为10~13～10~17／cm~2的电子, 对HEMT（高电子迁移率晶体管）材料进行辐照, 得到了材料结构中的二维电子气（2DEG）的电输运性质随辐照电子能量和注量的变化关系, 并进行了讨论。还将该结果与电子辐照P－HEMT和LT－HEMT材料的结果进行了比较, 对异质结界面的辐照效应进行了分析。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19755]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	林理彬,李有梅,陈卫东,等. HEMT材料的电子辐射效应[J]. 四川大学学报. 自然科学版,1995,32(1):39.
APA	林理彬,李有梅,陈卫东,蒋锦江,&孙梅影.(1995).HEMT材料的电子辐射效应.四川大学学报. 自然科学版,32(1),39.
MLA	林理彬,et al."HEMT材料的电子辐射效应".四川大学学报. 自然科学版 32.1(1995):39.