MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究

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	MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究
	牛智川
刊名	半导体学报
	1995
卷号	16 期号:12 页码:897
中文摘要	报道了用MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性实验研究。已得到77K温度下迁移率为16.2×10~4cm~2/(V·s)的GaAs材料。样品的Hall测量结果表明:在较低的杂质浓度范围(1×10~(13)cm~(-3)＜n＜1×10~(15)cm~(-3))内,在大体相同的生长温度(590℃左右)下,选择适当的生长速率Gr会增强对浅受主杂质的抑制作用,同时也会一致Si的自补偿效应,减小杂质的补偿度N_a/N_d之值,从而提高MBE外延GaAs材料的迁移率。
英文摘要	报道了用MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性实验研究。已得到77K温度下迁移率为16.2×10~4cm~2/(V·s)的GaAs材料。样品的Hall测量结果表明:在较低的杂质浓度范围(1×10~(13)cm~(-3)＜n＜1×10~(15)cm~(-3))内,在大体相同的生长温度(590℃左右)下,选择适当的生长速率Gr会增强对浅受主杂质的抑制作用,同时也会一致Si的自补偿效应,减小杂质的补偿度N_a/N_d之值,从而提高MBE外延GaAs材料的迁移率。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:19导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6014.pdf: 268459 bytes, checksum: d4543e57e3160bfd26f7b7aedea4c05b (MD5) Previous issue date: 1995; 中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19829]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	牛智川. MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究[J]. 半导体学报,1995,16(12):897.
APA	牛智川.(1995).MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究.半导体学报,16(12),897.
MLA	牛智川."MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究".半导体学报 16.12(1995):897.