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半导体研究所 [19]
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Origin of insulating behavior of the p-type laalo3/srtio3 interface: polarization-induced asymmetric distribution of oxygen vacancies
期刊论文
Physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: 4
作者:
Zhang, Lixin
;
Zhou, Xiang-Feng
;
Wang, Hui-Tian
;
Xu, Jing-Jun
;
Li, Jingbo
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Origin of insulating behavior of the p-type LaAlO3/SrTiO3 interface: Polarization-induced asymmetric distribution of oxygen vacancies
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: art. no. 125412
Zhang LX (Zhang Lixin)
;
Zhou XF (Zhou Xiang-Feng)
;
Wang HT (Wang Hui-Tian)
;
Xu JJ (Xu Jing-Jun)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Wang EG (Wang E. G.)
;
Wei SH (Wei Su-Huai)
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/10/11
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
ELECTRON GASES
HETEROSTRUCTURES
TRANSITION
Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: art. no. 163301
作者:
Jin P
;
Wei HY
;
Song HP
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浏览/下载:310/47
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提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
II-VI semiconductors
indium compounds
interface states
polarisation
semiconductor heterojunctions
valence bands
wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
zinc compounds
P-type doping of gainnas quaternary alloys
期刊论文
Physics letters a, 2008, 卷号: 373, 期号: 1, 页码: 165-168
作者:
Shi, Hongliang
;
Duan, Yifeng
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
First-principles
Alloy
Doping
Formation energy
Transition energy
Band offset
Band-gap bowing and p-type doping of (zn, mg, be)o wide-gap semiconductor alloys: a first-principles study
期刊论文
European physical journal b, 2008, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 439-444
作者:
Shi, H. -L.
;
Duan, Y.
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
First-principle study of extrinsic defects in cusco2 and cuyo2
期刊论文
Physics letters a, 2008, 卷号: 372, 期号: 21, 页码: 3759-3762
作者:
Fang, Zhi-Jie
;
Shi, Li-Jie
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Cumo2
Doping
Vasp
Preliminary design of a tensile-strained p-type si/sige quantum well infrared photodetector
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 5
作者:
Jiang, Lin Gui
;
Kai, Lai Hong
;
Cheng, Li
;
Yan, Chen Song
;
Zhong, Yu Jin
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Valence band offset of InN/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 24, 页码: art. no. 242107
Zhang BL
;
Sun GS
;
Guo Y
;
Zhang PF
;
Zhang RQ
;
Fan HB
;
Liu XL
;
Yang SY
;
Zhu QS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:231/42
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提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
indium compounds
interface states
semiconductor heterojunctions
silicon compounds
valence bands
wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
Band-gap bowing and p-type doping of (Zn, Mg, Be)O wide-gap semiconductor alloys: a first-principles study
期刊论文
european physical journal b, 2008, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 439-444
Shi HL
;
Duan Y
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浏览/下载:151/26
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提交时间:2010/03/08
SPECIAL QUASIRANDOM STRUCTURES
ZINCBLENDE
OFFSETS
GAASN
CDTE
BEO
First-principle study of extrinsic defects in CuScO2 and CuYO2
期刊论文
physics letters a, 2008, 卷号: 372, 期号: 21, 页码: 3759-3762
Fang, ZJ
;
Shi, LJ
收藏
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浏览/下载:61/7
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提交时间:2010/03/08
CuMO2
doping
VASP
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