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科研机构
北京大学 [1]
上海技术物理研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2019 [1]
2008 [1]
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The Novel of n-p-n Type Transition in the ZnSe/Ge Heterojunction Nanowire: First Principles Study
期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: 19, 期号: 9, 页码: 5847-5853
作者:
Huang Jiujun
;
Xing Huaizhong
;
Huang Yan(第三作者)
;
Wang Chunrui
;
Chen Xiaoshuang
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提交时间:2019/11/13
n-p Type Transition
ZnSe/Ge Nanowire
Electronic
Structure Property
A versatile chemical vapor deposition method to synthesize one-dimensional silica-sheathed nanostructures
期刊论文
journal of physical chemistry c, 2008
Wei, D. P.
;
Ma, Y.
;
Pan, H. Y.
;
Chen, Q.
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/12
INDIUM-PHOSPHIDE NANOWIRES
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
CORE-SHELL
CONTROLLED GROWTH
ZNS NANOSTRUCTURES
CATALYTIC GROWTH
BUILDING-BLOCKS
SIO2 NANOTUBES
PHOTOLUMINESCENCE
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