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| 直接或间接带隙组成的Ⅲ-V族含铝化合物的掺杂及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1737998, 申请日期: 2006-02-22, 公开日期: 2006-02-22
李爱珍; 郑燕兰; 李华; 胡雨生; 张永刚; 茹国平; 陈正秀
  收藏 | 浏览/下载：42/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 中红外量子级联与量子阱激光器材料、器件与物理研究 成果
鉴定: 无, 2001
李爱珍; 王占国; 刘峰奇; 陈建新; 张永刚; 杨全魁; 张永照; 郑燕兰; 林春; 张权生; 江德生; 徐刚毅; 毕文刚; 南矿军
收藏 | 浏览/下载：63/0 | 提交时间：2013/04/12 |
| GaN基材料RF等离子体MBE生长 成果
鉴定: 无, 2000
齐鸣; 李爱珍; 李伟; 任尧成; 李存才; 赵智彪; 陈建新; 张永刚; 郑燕兰; 魏茂林; 茹国平
收藏 | 浏览/下载：54/0 | 提交时间：2013/04/12 |
| 1.8μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器 期刊论文
半导体光电, 2000, 期号: 05
柏劲松; 陈高庭; 张云妹; 方祖捷; 李爱珍; 郑燕兰; 林春
收藏 | 浏览/下载：25/0 | 提交时间：2012/03/29 |
| 2 μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb宽条多量子阱激光器 期刊论文
中国激光, 1998, 期号: 12
陈高庭; 柏劲松; 张云妹; 耿建新; 方祖捷; 李爱珍; 郑燕兰; 林春
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2012/03/29
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| 用于n-p-nHBT的AlGaAs/GaAs多层MBE材料 期刊论文
半导体情报, 1991, 期号: 06
王建新; 郑燕兰; 邱建毕; 李存才; 陈自姚; 朱福英; 谭文玲; 李爱珍
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2012/03/29
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