2 μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb宽条多量子阱激光器

	2 μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb宽条多量子阱激光器
	陈高庭 ; 柏劲松 ; 张云妹 ; 耿建新 ; 方祖捷 ; 李爱珍 ; 郑燕兰 ; 林春
刊名	中国激光
	1998
期号	12
关键词	K1 中红外波段激光器量子阱材料 MBE生长
ISSN号	0258-7025
其他题名	T1 2 μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb宽条多量子阱激光器
中文摘要	报道了用ＭＢＥ生长的ＩｎＧａＡｓＳｂ／ＡｌＧａＡｓＳｂ多量子阱材料做成的宽条激光二极管的性能。室温下以脉冲方式工作，实现了８３ｍＷ的峰值功率输出，阈值电流为２５０ｍＡ，典型峰值波长为２．００μｍ左右。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103678]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈高庭,柏劲松,张云妹,等. 2 μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb宽条多量子阱激光器[J]. 中国激光,1998(12).
APA	陈高庭.,柏劲松.,张云妹.,耿建新.,方祖捷.,...&林春.(1998).2 μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb宽条多量子阱激光器.中国激光(12).
MLA	陈高庭,et al."2 μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb宽条多量子阱激光器".中国激光 .12(1998).