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| 磷化铟基量子级联激光器原子层尺度外延材料质量控制方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1731637, 申请日期: 2006-02-08, 公开日期: 2006-02-08 李爱珍; 林春; 李华; 李存才; 胡建; 顾溢; 张永刚; 徐刚毅
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| 磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1731638, 申请日期: 2006-02-08, 公开日期: 2006-02-08 李爱珍; 陈建新; 李华; 徐刚毅; 张永刚; 林春; 杨全魁; 李存才; 胡建
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| 带内跃迁和带间跃迁中红外半导体光源研究 会议论文 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2006 李爱珍; 李存才; 胡建; 徐刚毅; 张永刚; 林春; 郑燕兰; 李华; 李耀耀; 魏林; 朱诚
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| 气态源分子束外延InGaP/GaAs HBT材料 成果 鉴定: 无, 2005 齐鸣; 徐安怀; 陈晓杰; 朱福英; 艾立鹍; 李爱珍; 李存才; 胡建
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:37/0  |  提交时间:2013/04/12 |
| 高速光电探测器 成果 鉴定: 无, 2005 张永刚; 李爱珍; 刘天东; 刘家洲; 郝国强; 顾溢; 李存才; 胡建
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| GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究 期刊论文 稀有金属, 2004, 期号: 03 李爱珍; 李华; 李存才; 胡建; 唐雄心; 齐鸣
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| 水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长 期刊论文 功能材料与器件学报, 2003, 期号: 04 孟兆祥; 于广辉; 叶好华; 雷本亮; 李存才; 齐鸣; 李爱珍
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| 新一代中红外半导体激光器材料、器件应用基础研究 成果 鉴定: 无, 2003 李爱珍; 刘峰奇; 张永刚; 徐刚毅; 王占国; 郑燕兰; 张权生; 杨权魁; 林春; 江德生; 张永照; 张雄; 李华; 南矿军; 李成明; 李存才; 胡建
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| 中红外波段锑化物激光器、探测器材料与器件 成果 鉴定: 无, 2001 李爱珍; 郑燕兰; 张永刚; 林春; 钟金权; 简贵胄; 张雄; 李存才; 胡建; 朱福英; 南矿军; 杨全魁
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| Ⅲ-Ⅴ族氮化物射频等离子体MBE及特性研究 成果 鉴定: 无, 2001 齐鸣; 李爱珍; 李伟; 赵智彪; 张永刚; 李存才
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