| 磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法 | |
| 李爱珍 ; 陈建新 ; 李华 ; 徐刚毅 ; 张永刚 ; 林春 ; 杨全魁 ; 李存才 ; 胡建 | |
| 2006-02-08 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1731638 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及中红外低阈值电流密度InP基含砷含磷量子级联激光器结构 及其不间断连续生长制备方法。其特征是：(1)四种中红外InP基含砷含磷量 子级联激光器结构。这四种QCL结构的特点是：(a)都包括了InP基含砷含 磷GaInAs/AlInAs/GaInAs/InP/InP或GaInAs/InP/GaInAs/AlInAs/InP/InP；(b) 只采用硅一种施主掺杂剂；(c)采用InP/InP复合下波导包裹层；在InP和 GaInAs间相互过渡时采用InP/GaInAs或GaInAs/InP数字递变超晶格 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2006-02-08 |
| 申请日期 | 2005-08-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200510029275.9 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48209]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李爱珍,陈建新,李华,等. 磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法. CN1731638. 2006-02-08. |
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