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| Charge Transfer within the F4TCNQ-MoS2 van der Waals Interface: Toward Electrical Properties Tuning and Gas Sensing Application 期刊论文
Advanced Functional Materials, 2018
作者: Wang JW(王嘉伟); Ji ZY(姬濯宇) ; Yang GH(杨冠华); Chuai XC(揣喜臣); Lu CY(陆丛研)
  收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2019/04/12 |
| Photoelectric Plasticity in Oxide Thin Film Transistors with Tunable Synaptic Functions 期刊论文
Advanced Electron Materials, 2018
作者: Wu QT(吴全潭); Wang JW(王嘉玮); Cao JC(曹劲琛); Zhao Y(赵莹); Geng D(耿玓)
收藏 | 浏览/下载：39/0 | 提交时间：2019/04/12 |
| Simulation of doping effect for HfO2-based RRAM based on first-principles calculations 会议论文
作者: Wei W(魏巍); Chuai XC(揣喜臣); Lu ND(卢年端); Wang Y(王艳); Li L(李泠)
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2018/07/26 |
| Carrier thermoelectric transport model for black phosphorus field-effect transistors 期刊论文
Chemical Physics Letters, 2017
作者: Wei W(魏巍); Lu ND(卢年端); Liu M(刘明); Chuai XC(揣喜臣)
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2018/07/11 |
| 输出功率密度为2．23W／mm的X波段AlGaN／GaN功率HEMT器件 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 6，1865-1870
作者: 李晋闽; 王晓亮; 刘新宇; 胡国新; 王军喜
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2010/05/26
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| RF—MBE生长的高Al势垒层AlGaN／GaNHEMT结构 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 5，1116-1120
作者: 李晋闽; 曾一平; 王晓亮; 王翠梅; 胡国新
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2010/05/26
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| RF—MBE生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管特性 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125
作者: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘新宇; 刘键
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2010/05/26
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| MBE生长的跨导为186mS／mm的AlGaN／GaN HEMT 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 5,484-488
作者: 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2010/05/25
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