RF—MBE生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管特性

	RF—MBE生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管特性
	王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘新宇; 刘键; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 钱鹤; 李晋闽
刊名	半导体学报
	2004
卷号	25 期号:2 页码:121-125
关键词	高电子迁移率晶体管氮化镓场效应晶体管 Rf—mbe
ISSN号	0253-4177
英文摘要	用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm^2／(V·s)，二维电子气浓度为1．0×10^13cm^-2，77K迁移率为2653cm^2／(V·s)，二维电子气浓度为9．6×10^12cm^-2的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管材料，用此材料研制的器件(栅长为1μm，栅宽为80μm，源一漏间距为4μm)的室温非本征跨导为186mS／mm，最大漏极饱和电流密度为925mA／mm，特征频率为18．8GHz。
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1034]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王晓亮,胡国新,王军喜,等. RF—MBE生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管特性[J]. 半导体学报,2004,25(2):121-125.
APA	王晓亮.,胡国新.,王军喜.,刘新宇.,刘键.,...&林兰英.(2004).RF—MBE生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管特性.半导体学报,25(2),121-125.
MLA	王晓亮,et al."RF—MBE生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管特性".半导体学报 25.2(2004):121-125.