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Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111) 期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:  Li, SM(李水明);  Zhou, Y(周宇);  Gao, HW(高宏伟);  Dai, SJ(戴淑君);  Yu, GH(于国浩)
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Room-temperature continuous-wave electrically injected InGaN-based laser directly grown on Si 期刊论文
NATURE PHOTONICS, 2016, 卷号: 10, 期号: 9
作者:  Sun, Y(孙逸);  Zhou, K;  Sun, Q(孙钱);  Liu, JP(刘建平);  Feng, MX(冯美鑫)
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Normally OFF GaN-on-Si MIS-HEMTs Fabricated With LPCVD-SiNx Passivation and High-Temperature Gate Recess 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2
作者:  Shi, YJ;  Huang, S;  Bao, QL;  Wang, XH;  Wei, K
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Study of optical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 674
作者:  Gu, H(顾泓);  Ren, GQ(任国强);  Zhou, TF(周桃飞);  Tian, FF(田飞飞);  Xu, Y(徐俞)
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The electrical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2016, 卷号: 436
作者:  Gu, H(顾泓);  Ren, GQ(任国强);  Zhou, TF(周桃飞);  Tian, FF(田飞飞);  Xu, Y(徐俞)
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Fabrication of 45 nm high In component metamorphic In(0.7)Ga0.3As/In0.6Ga(0.4)As composite-channel high electron-mobility transistors on GaAs substrates 期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2016, 卷号: 52, 期号: 4
作者:  Kang, WH;  Zhang, XD;  Ji, X;  Cai, Y(蔡勇);  Zhou, JH
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Investigation of high sensitivity radio-frequency readout circuit based on AlGaN/GaN high electron mobility transistor 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 10, 页码: 4
作者:  Zhang, XY(张晓渝);  Tan, RB(谭仁兵);  Sun, JD(孙建东);  Li, XX(李欣幸);  Zhou, Y(周宇)
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Synthesis of V2O5 hierarchical structures for long cycle-life lithium-ion storage 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY A, 2015, 卷号: 3, 期号: 3, 页码: 7
作者:  Li, GZ(李桂珠);  Qiu, YC(丘勇才);  Hou, Y(侯远);  Li, HF(李洪飞);  Zhou, LS(周丽莎)
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2015/12/31
Accelerated Postero-Lateral Spinal Fusion by Collagen Scaffolds Modified with Engineered Collagen-Binding Human Bone Morphogenetic Protein-2 in Rats 期刊论文
PLOS ONE, 2014, 卷号: 9, 期号: 5
作者:  Han, XL;  Zhang, W;  Gu, J;  Zhao, H;  Ni, L
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Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 372, 期号: 0, 页码: 43-48
作者:  Ren, GQ(任国强);  Xu, K(徐科);  Su, XJ(苏旭军);  Yang, H(杨辉);  Zhou, TF(周桃飞)
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