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苏州纳米技术与纳米仿... [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2016 [2]
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The hydride vapor phase epitaxy of GaN on silicon covered by nanostructures
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 31, 期号: 6
作者:
Jahn, U
;
Musolino, M
;
Lahnemann, J
;
Dogan, P
;
Garrido, SF
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提交时间:2017/03/11
Normally-off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors using hydrogen plasma treatment
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: 15
作者:
Hao, RH
;
Fu, K(付凯)
;
Yu, GH(于国浩)
;
Li, WY
;
Yuan, J
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提交时间:2017/03/11
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