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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The Novel of n-p-n Type Transition in the ZnSe/Ge Heterojunction Nanowire: First Principles Study 期刊论文 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: 19, 期号: 9, 页码: 5847-5853 作者:  Huang Jiujun;  Xing Huaizhong;  Huang Yan(第三作者);  Wang Chunrui;  Chen Xiaoshuang 收藏  |  浏览/下载：253/0  |  提交时间：2019/11/13 n-p Type Transition  ZnSe/Ge Nanowire  Electronic  Structure Property   Midinfrared Photoluminescence up to 290 K Reveals Radiative Mechanisms and Substrate Doping-Type Effects of InAs Nanowires 期刊论文 NANO LETTERS, 2017, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1545-1551 作者:  Chen XR;  Zhuang QD;  Alradhi H;  Jin ZM;  Zhu LQ 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2018/11/20 INFRARED PHOTOREFLECTANCE  SUPERLATTICES  LUMINESCENCE  ALLOYS  PHOTOVOLTAICS  ACCUMULATION  TEMPERATURE  LINEWIDTHS  TRANSPORT  SURFACES   Recent progress on integrating two-dimensional materials with ferroelectrics for memory devices and photodetectors 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 3 作者:  Wang JL;  Hu WD 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/11/20 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  THIN-FILM-TRANSISTOR  MOS2  GRAPHENE  HETEROSTRUCTURES  POLYMER  PHOTOTRANSISTORS  OPTOELECTRONICS  ELECTRONICS  MONOLAYER   The Dependence of Structural Stability and Tunable Gap on the Si Components of ZnSe/Si Bi-Coaxial Nanowire Heterostructures 期刊论文 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2012, 卷号: 12, 期号: 3 作者:  Xing, HZ;  Zhang, HY;  Huang, Y;  Zhang, L;  Xu, XF 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/03/18