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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of absorption layer parameters and hetero-interface charge on photoresponse of 12.5 mu m long-wavelength HgCdTe photodiode 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7891-7896 作者:  Hu WD(胡伟达) 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2011/07/14 Negative Persistent Photoconductivity Effect on Weak Anti‐Localization in Hetero‐Interface of InSb/GaAs(100) 会议论文 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-28) - 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/05/16 inSb/GaAs hetero-interface  weak anti-localization  spin-orbit interaction  persistent photoconductivity