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半导体研究所 [15]
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期刊论文 [14]
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专题:半导体研究所
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Reconstruction of GaAs/AlAs supperlattice multilayer structure by quantification of AES and SIMS sputter depth profiles
期刊论文
applied surface science, 2016, 卷号: 388, 页码: 584-588
H.L. Kang
;
J.B. Lao
;
Z.P. Li
;
W.Q. Yao
;
C. Liu
;
J.Y. Wang
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2017/03/10
Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers
期刊论文
thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Deng SK (Deng Shukang)
;
Shen LX (Shen Lanxian)
;
Yang PZ (Yang Peizhi)
;
Tu JL (Tu Jielei)
;
Liao H (Liao Hua)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/12/28
Gallium Arsenide
Gallium antimonide
Gallium antimonide/Aluminum antimonide
Superlattices
Molecular Beam Epitaxy
VAPOR-PHASE EPITAXY
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
SUPERLATTICES
TEMPERATURE
RELAXATION
DETECTORS
GAAS(001)
MOCVD
FILMS
Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 018101
作者:
Xu YQ
;
Tang B
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浏览/下载:221/40
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提交时间:2010/03/08
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
SUPERLATTICES
HETEROSTRUCTURES
TEMPERATURE
DETECTORS
GAAS(100)
FILMS
INAS
INSB
Strain-induced anodization of SiGe/Si multiple layers to form high density SiGe/Si heterogeneous nanorods
期刊论文
solid state communications, 2009, 卷号: 149, 期号: 43-44, 页码: 1897-1901
Zhou B
;
Pan SW
;
Chen R
;
Chen SY
;
Li C
;
Lai HK
;
Yu
;
JZ
;
Zhu XF
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/04/04
Strain-induced
Electrochemical anodization
Silicon germanium
Heterogeneous nanostructures
POROUS SILICON LAYER
VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE
SURFACE-MORPHOLOGY
THIN-FILMS
SI
GERMANIUM
SUPERLATTICES
NANOCRYSTALS
RELAXATION
GROWTH
Spatial variation of optical and structural properties of elo gan directly grown on patterned sapphire by hvpe
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2881-2885
作者:
Wei, T. B.
;
Duan, R. F.
;
Wang, J. X.
;
Li, J. M.
;
Huo, Z. Q.
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Spatial variation of optical and structural properties of ELO GaN directly grown on patterned sapphire by HVPE
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2881-2885
作者:
Wei TB
;
Duan RF
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/29
VAPOR-PHASE EPITAXY
Fabrication of gan films through reactive reconstruction of magnetron sputtered zno/ga2o3
期刊论文
Journal of central south university of technology, 2005, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 9-12
作者:
Gao, HY
;
Zhuang, HZ
;
Xue, CS
;
Dong, ZH
;
He, JT
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Fabrication
Ga2o3 film
Zno buffer layer
Radio frequency magnetron sputtering
Nitriding
Symmetry in the diagonal self-assembled inas quantum wire arrays on inp substrate
期刊论文
International journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4423-4426
作者:
Wu, J
;
Zeng, YP
;
Cui, LJ
;
Zhu, ZP
;
Wang, BX
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Symmetry in the diagonal self-assembled InAs quantum wire arrays on InP substrate
会议论文
symposium on advance characterization of electronic materials held at the 8th iumrs international conference on electronic materials (iumrs-icem2002), xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Wu J
;
Zeng YP
;
Cui LJ
;
Zhu ZP
;
Wang BX
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
INP(001)
EPITAXY
GAAS
Symmetry in the diagonal self-assembled InAs quantum wire arrays on InP substrate
期刊论文
international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4423-4426
Wu J
;
Zeng YP
;
Cui LJ
;
Zhu ZP
;
Wang BX
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2010/08/12
INP(001)
EPITAXY
GAAS
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