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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512 Lv YJ; Lin ZJ; Corrigan TD; Zhao JZ; Cao ZF; Meng LG; Luan CB; Wang ZG; Chen H 收藏  |  浏览/下载：65/6  |  提交时间：2011/07/05 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  GAN  DEPENDENCE  CONTACTS  STATES  NI   Measurement and analysis of microwave frequency response of semiconductor optical amplifiers - art. no. 682406 会议论文 conference on semiconductor lasers and applications iii, beijing, peoples r china, nov 12-13, 2007 Liu, J; Zhang, SJ; Hu, YH; Xie, L; Huang, YZ; Zhu, NH 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/03/09 semiconductor optical amplifier  microwave frequency response  direct-subtracting method  vector network analyzer  multisectional model  rate equation  steady state  small-signal state   Frequency dependence of junction capacitance of gan p-i-n uv detectors 期刊论文 Solid-state electronics, 2005, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 1135-1139 作者:  Kang, Y;  Xu, YH;  Zhao, DG;  Fang, JX 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Capacitance-frequency characteristics  Deep level  Gan  Uv detector   Frequency dependence of junction capacitance of GaN p-i-n UV detectors 期刊论文 solid-state electronics, 2005, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 1135-1139 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：57/35  |  提交时间：2010/03/17 capacitance-frequency characteristics