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半导体研究所 [19]
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期刊论文 [15]
学位论文 [4]
发表日期
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中红外波段GaSb基激光器的材料生长与器件制备
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
柴小力
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2017/05/31
窄带隙半导体
锑化镓量子阱
中红外激光器
分子束外延
DBR光栅
硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘广政
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浏览/下载:497/0
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提交时间:2016/06/03
GaAs/Si
GaAs/Ge
两步法
四步法
量子点
激光器
AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2016/06/01
AlN
AlGaN 基深紫外 LED
AlGaN 基紫外 Laser
AlN 纳米柱
半极性面纳米锥
MOCVD自催化生长InAs纳米线的研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
王小耶
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浏览/下载:69/0
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提交时间:2015/05/27
InAs
InAs/GaSb
纳米线
MOCVD(金属有机化学气相沉积)
自催化
图形衬底
纳米线阵列
立式环栅
异质结纳米线
周期换向脉冲电沉积-硒化法制备铜铟镓硒薄膜
期刊论文
功能材料与器件学报, 2011, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 187-194
作者:
曲胜春
;
刘孔
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/07/17
纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性
期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 7, 页码: 076104-1-076104-4
作者:
谭小动
;
朱建军
;
赵德刚
;
张书明
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2012/07/17
自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究
期刊论文
稀有金属材料与工程, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
作者:
羊建坤
;
段瑞飞
;
霍自强
;
魏同波
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2011/08/16
MOCVD生长Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性
期刊论文
光电子·激光, 2009, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 1454-1457
作者:
王保柱
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/23
分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性
期刊论文
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 384-386
作者:
牛智川
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浏览/下载:223/3
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提交时间:2010/11/23
In0.2 Ga0.8 As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3 μmInAs/GaAs自组织量子点
期刊论文
红外与毫米波学报, 2005, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 324-327
作者:
牛智川
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
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