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科研机构
西安理工大学 [26]
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期刊论文 [14]
会议论文 [12]
发表日期
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2018 [7]
2017 [1]
2016 [3]
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2010 [2]
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Low defect thick homoepitaxial layers grown on 4H-SiC wafers for 6500 V JBS devices
会议论文
Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials, APCSCRM 2018, Beijing, China, 2018-07-09
作者:
Niu, Yingxi
;
Tang, Xiaoyan
;
Tian, Lixin
;
Zheng, Liu
;
Zhang, Wenting
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/20
Influence of p(-) blocking base carrier lifetime on characteristics of SiC light-triggered thyristor
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
An, Liqi
;
Pu, Hongbin
;
Wang, Xi
;
Tang, Xinyu
;
Liu, Qing
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/20
silicon carbide
light-triggered thyristor
minority carrier lifetime
turn-on delay time
Review of SiC MOSFET Drive Circuit
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
Liu, Yang
;
Yang, Yuan
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/20
Silicon Carbide (SiC) devices
Switching characteristics
drive circuit
A Novel High Power 4H-SiC Unipolar Diode with Advanced Performance
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
Wang, Xi
;
Pu, Hongbin
;
An, Liqi
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/20
silicon carbide
high power
trench
junction bdiode
A Novel Active Gate Driver for Improving Switching Performance of High-Power SiC MOSFET Modules
期刊论文
2019, 卷号: 34, 页码: 7775-7787
作者:
Yang, Yuan
;
Wen, Yang
;
Gao, Yong
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/20
Active gate driver (AGD)
electromagnetic interference (EMI)
silicon carbide (SiC) MOSFET
overshoots
An Active Gate Driver for Improving Switching Performance of SiC MOSFET
会议论文
2018 7TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON NEXT-GENERATION ELECTRONICS (ISNE), 2018-01-01
作者:
Yang, Yuan
;
Wang, Yan
;
Wen, Yang
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/20
Silicon Carbide (SiC) devices
overvoltage
switching losses
An active gate driver (AGD)
4H-SiC Light Triggered Thyristor with Gradually Doped Thin n-base
会议论文
2018 1ST WORKSHOP ON WIDE BANDGAP POWER DEVICES AND APPLICATIONS IN ASIA (WIPDA ASIA), 2018-01-01
作者:
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/20
silicon carbide
light triggered thyristor
gradually doped
thin n-base
Origin analysis and elimination of obtuse triangular defects in 4° off 4H-SiC epitaxy
会议论文
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2017, Columbia, WA, United states, 2017-09-17
作者:
Mao, K.L.
;
Wang, Y.M.
;
Li, B.
;
Zhao, G.Y.
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/20
Shortening turn-on delay of SiC light triggered thyristor by 7-shaped thin n-base doping profile
期刊论文
2018, 卷号: 27
作者:
Wang, Xi
;
Pu, Hong-Bin
;
Liu, Qing
;
An, Li-Qi
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/20
silicon carbide
light triggered thyristor
7-shaped doping profile
turn-on delay
Atomistic insights on the nanoscale single grain scratching mechanism of silicon carbide ceramic based on molecular dynamics simulation
期刊论文
2018, 卷号: 8
作者:
Liu, Yao
;
Li, Beizhi
;
Kong, Lingfei
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/20
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