QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：武汉大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Competition of Hg2+ adsorption and surface oxidation on MoS2 surface as affected by sulfur vacancy defects 期刊论文 Applied Surface Science, 2019, 卷号: 483 作者:  Yi, Hao;  Zhang, Xian;  Jia, Feifei;  Wei, Zhenlun;  Zhao, Yunliang 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/05 Controllable defects implantation in MoS2 grown by chemical vapor deposition for photoluminescence enhancement 期刊论文 NANO RESEARCH, 2018, 卷号: 11, 期号: 8 作者:  Wu, Ke;  Li, Zhe;  Tang, Jibo;  Lv, Xianglong;  Wang, Hailing 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/05 chemical vapor deposition (CVD) MoS2  hydrogen  sulfur vacancy  defect-bounded exciton  photoluminescence enhancement  Raman shifts