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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：武汉大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 基于隧穿机理的石墨烯纳米带准一维器件设计 期刊论文 微纳电子技术, 2018, 期号: 08 作者:  刘安琪;  吕亚威;  常胜;  黄启俊;  王豪 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05 隧穿场效应晶体管(TFET)  准一维材料  石墨烯纳米带(GNR)  隧穿机理  开关电流比(Ion/Ioff)