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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improvement of total-dose irradiation hardness of silicon-on-insulator materials by modifying the buried oxide layer with ion implantation 期刊论文 CHINESE PHYSICS, 2006, 卷号: 15, 期号: 4, 页码: 792-797 Zhang, EX; Qian, C; Zhang, ZX; Lin, CL; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 IMPLANTING NITROGEN  RADIATION RESPONSE  THERMAL OXIDES  SIMOX  CHARGE  ELECTRON  OXYGEN  HOLE  TRANSISTORS  TECHNOLOGY   Effect of nitrogen implantation technologies on total dose rad-hardness of SIMON materials 期刊论文 Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1269-1272 Zhang, Enxia1; Qian, Cong1; Zhang, Zhengxuan1; Wang, Xi1; Zhang, Guoqiang2; Li, Ning2; Zheng, Zhongshan2; Liu, Zhongli2 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/03/24 Radiation hardness improvement of separation-by-implantation-of-oxygen/silicon-on-insulator material by nitrogen ion implantation 期刊论文 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2005, 卷号: 34, 期号: 11, 页码: L53-L56 Zhang, EX; Sun, JY; Chen, J; Zhang, ZX; Wang, X; Li, N; Zhang, GQ; Liu, ZL 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/24 CHARGE  OXYGEN   Research on the effect of nitrogen implantation doses on the structure of separation by implantation of oxygen and nitrogen 期刊论文 SMART MATERIALS & STRUCTURES, 2005, 卷号: 14, 期号: 4, 页码: N42-N45 Zhang, EX; Yi, WB; Chen, J; Zhang, ZX; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-BEAM SYNTHESIS  BURIED LAYERS  SILICON   具有复合埋层的新型SIMON材料的制备 期刊论文 半导体学报, 2004, 期号: 07 易万兵; 陈猛; 张恩霞; 刘相华; 陈静; 董业民; 金波; 刘忠立; 王曦 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/01/06 防锈油膜  失效  导电机制  p型半导体  n型半导体