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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种SOI场效应晶体管的TCAD仿真校准方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102184879A, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14 柴展; 陈静; 罗杰馨; 伍青青; 王曦 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2012/01/06 轻掺杂漏MOS场效应晶体管 学位论文 硕士: 中国科学院研究生院（上海冶金研究所）  , 1986 谢连生 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2012/03/06