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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fundamental relationship of excitonic photoluminescence intensity with excitation density in semiconductor quantum well structures 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2000, 卷号: 88, 期号: 7, 页码: 4075-4078 Jin, SR; Ramsteiner, M; Grahn, HT; Ploog, KH; Li, ZH; Shen, DX; Zhu, ZQ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 TEMPERATURE-DEPENDENCE  RECOMBINATION  LIFETIMES  INGAAS/GAAS  DYNAMICS  CARRIERS  KINETICS   Intermetallic SnSbx compounds for lithium insertion hosts 期刊论文 SOLID STATE IONICS, 2000, 卷号: 133, 期号: 3-4, 页码: 189-194 Yang, J; Takeda, Y; Imanishi, N; Xie, JY; Yamamoto, O 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-BATTERIES  ELECTRODES  POWDERS   The effect of high Landau subbands filling on the hot-electron magneto-transport ultrafast transient in InSb 期刊论文 PHYSICA B, 1999, 卷号: 269, 期号: 1, 页码: 28-33 Caetano, EWS; Mendes, EA; Freire, VN; da Costa, JAP; LEI, XL（雷啸霖）（雷啸霖） 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/25 NARROW-GAP SEMICONDUCTORS  EXTREME QUANTUM LIMIT  ENERGY-LOSS RATE  LOW-TEMPERATURES  FIELD  CARRIERS  GAAS   High-magnetic-field effects on the terahertz mobility of hot electrons in n-type InSb 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 1998, 卷号: 57, 期号: 19, 页码: 11872-11874 Caetano, EWS; Mendes, EA; Freire, VN; da Costa, JAP; LEI, XL（雷啸霖）（雷啸霖） 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/25 NARROW-GAP SEMICONDUCTORS  RELAXATION  TRANSIENT  CARRIERS