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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: 1845308, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2008-03-05, 2008-03-05, 2008-03-05, 2008-03-05 张恩霞; 张正选; 王曦 林成鲁 林梓鑫; 钱聪; 贺威 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2012/01/06 提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法 成果 鉴定: 无, 2007 张恩霞; 张正选; 林成鲁; 林梓鑫; 钱聪; 贺威 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/04/12 SIMOX材料制备中注入剂量优化研究 期刊论文 电子学报, 1996, 期号: 11 奚雪梅; 李映雪; 赵清太; 王阳元; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 SIMOX制备  注入剂量优化  埋氧化层微结构