SIMOX材料制备中注入剂量优化研究 | |
奚雪梅 ; 李映雪 ; 赵清太 ; 王阳元 ; 林成鲁 | |
刊名 | 电子学报
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1996 | |
期号 | 11 |
关键词 | K1 SIMOX制备 注入剂量优化 埋氧化层微结构 |
ISSN号 | 03722112 |
中文摘要 | 本文采用SIMS、TEM、RB等测试手段,分析了注入剂量改变对SIMOX(SeparationbyIMplantedOXygen)材料顶层硅和埋氧化层微结构的影响,研究结果表明,注入剂量低至0.6x1018O+/cm2时,经过1300℃,6小时的高温退火过程,能形成界面清晰的三层结构,得到高结晶度的表面硅层,埋氧化层中存在尺寸较大的硅岛;标准注入剂量(1.8x1018O+/cm2)形成的SIMOX材料表层硅出现明显的缺陷,分析结果表明,注入过程中表面存在的缺陷经高温退火后仍有部分残留,成为最终材料表面缺陷 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104247] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 奚雪梅,李映雪,赵清太,等. SIMOX材料制备中注入剂量优化研究[J]. 电子学报,1996(11). |
APA | 奚雪梅,李映雪,赵清太,王阳元,&林成鲁.(1996).SIMOX材料制备中注入剂量优化研究.电子学报(11). |
MLA | 奚雪梅,et al."SIMOX材料制备中注入剂量优化研究".电子学报 .11(1996). |
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