SIMOX材料制备中注入剂量优化研究

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	SIMOX材料制备中注入剂量优化研究
	奚雪梅 ; 李映雪 ; 赵清太 ; 王阳元 ; 林成鲁
刊名	电子学报
	1996
期号	11
关键词	K1 SIMOX制备注入剂量优化埋氧化层微结构
ISSN号	03722112
中文摘要	本文采用ＳＩＭＳ、ＴＥＭ、ＲＢ等测试手段，分析了注入剂量改变对ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔｅｄＯＸｙｇｅｎ）材料顶层硅和埋氧化层微结构的影响，研究结果表明，注入剂量低至０．６ｘ１０１８Ｏ＋／ｃｍ２时，经过１３００℃，６小时的高温退火过程，能形成界面清晰的三层结构，得到高结晶度的表面硅层，埋氧化层中存在尺寸较大的硅岛；标准注入剂量（１．８ｘ１０１８Ｏ＋／ｃｍ２）形成的ＳＩＭＯＸ材料表层硅出现明显的缺陷，分析结果表明，注入过程中表面存在的缺陷经高温退火后仍有部分残留，成为最终材料表面缺陷
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104247]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	奚雪梅,李映雪,赵清太,等. SIMOX材料制备中注入剂量优化研究[J]. 电子学报,1996(11).
APA	奚雪梅,李映雪,赵清太,王阳元,&林成鲁.(1996).SIMOX材料制备中注入剂量优化研究.电子学报(11).
MLA	奚雪梅,et al."SIMOX材料制备中注入剂量优化研究".电子学报 .11(1996).