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| N型高效太阳能电池中一种制备p+型掺杂层与n+前表面场的方法 专利
专利号: CN201210323522.6, 申请日期: 2016-01-20, 公开日期: 2012-12-12
作者: 贾锐 ; 张巍; 陈晨; 张代生; 金智
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| 一种等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法 专利
申请日期: 2012-01-05,
作者: 王文东; 黄春; 闫坤坤; 夏洋
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| 基于真空粘合工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 专利
专利号: CN200510012238.7, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2007-01-24
作者: 陈大鹏; 叶甜春; 欧毅; 石莎莉
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| 制备超结VDMOS器件的方法 专利
专利号: CN101515547, 申请日期: 2008-02-20, 公开日期: 2009-08-26, 2010-11-26
作者: 海潮和; 王立新; 陆江; 蔡小五
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| 基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 专利
专利号: CN200510012239.1, 申请日期: 2008-02-13, 公开日期: 2007-01-24
作者: 欧毅; 石莎莉; 陈大鹏; 叶甜春
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| 全自对准条型栅功率垂直双扩散场效应晶体管的制作方法 专利
专利号: CN101399227, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-04-01, 2010-11-26
作者: 王立新
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| 锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法 专利
专利号: CN1360343, 申请日期: 2000-12-19, 公开日期: 2002-07-24, 2010-11-26
作者: 徐秋霞; 殷华湘; 钱鹤
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| 基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法 专利
专利号: CN200710064878.1, 公开日期: 2008-10-01
作者: 陈大鹏; 叶甜春; 易亮; 欧毅; 景玉鹏
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| 基于多晶硅特性制作热剪切应力传感器的方法 专利
专利号: CN200710064856.5, 公开日期: 2008-10-01
作者: 欧毅; 陈大鹏; 叶甜春; 景玉鹏; 易亮
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