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一种用于实现零极点型高阶滤波器的混合积分器双二阶单元 专利
专利号: CN200810227129.0, 申请日期: 2011-07-06, 公开日期: 2009-05-06
作者:  陈勇;  周玉梅
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一种基准电流产生电路 专利
申请日期: 2009-09-09,
作者:  阎跃鹏;  张欣旺;  杜占坤
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T形栅In0．52Al0．48As／In0．6Ga0．4As MHEMTs功率器件 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 12, 页码: 4，2331-2334
作者:  黎明;  张海英;  徐静波;  付晓君
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/27
截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 4，1898-1901
作者:  金智;  程伟;  刘新宇;  徐安怀;  齐鸣
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发射极空气桥 InGaP／GaAsHBT的DC和RF特性分析 期刊论文
电 子 器 件, 2007, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 4,1_4
作者:  吴德馨;  申华军;  葛霁;  杨威;  陈延湖
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/26
一种具有温度补偿的高增益宽带放大器电路 专利
专利号: CN101119100, 申请日期: 2006-07-31, 公开日期: 2008-02-06, 2010-11-26
作者:  王宇晨;  刘训春
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/26
高性能1mmSiC基AIGaN／GaN功率HEMT研制 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1981-1983
作者:  王晓亮;  罗卫军;  陈晓娟;  李成瞻;  刘新宇
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0．6V电源电压的CMOS基准源设计及稳定性分析 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1508-1513
作者:  王晗;  叶青
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/05/26
提高SOI器件和电路性能的研究 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 增刊, 页码: 322-327
作者:  韩郑生;  海潮和;  周小茵;  赵立新;  李多力
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/26
高性能1mm AlGaN／GaN功率HEMTs研制 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 4，88-91
作者:  邵刚;  刘新宇;  和致经;  刘键;  魏珂
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