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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：光电技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Single-Walled Carbon Nanotube-Controlled Meyer-Neldel Rules in Vanadium Oxide Films for Applications as Thermistor Materials in Sensors and Detectors 期刊论文 ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2018, 卷号: 1, 期号: 12, 页码: 6959-6966 作者:  Qiong He;  Xiangdong Xu;  Yu Gu;  Xiaomeng Cheng;  Jimmy Xu 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/08/23 electrical conductivity  Meyer-Neldel rule (MNR)  vanadium oxides  carbon nanotubes  composite films   Characterization of Silicon Wafers with Combined Photocarrier Radiometry and Free Carrier Absorption 期刊论文 INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2013, 卷号: 34, 期号: 8-9, 页码: 1735-1745 作者:  Li, Bincheng;  Huang, Qiuping;  Ren, Shengdong 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2015/04/17 Electronic transport properties  Free carrier absorption  Ion implantation  Photocarrier radiometry  Silicon  Thermal annealing   Optical and photo-carrier characterization of ultra-shallow junctions in silicon 期刊论文 SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2013, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 1294-1300 作者:  Huang QiuPing;  Li BinCheng;  Ren ShengDong 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/04/17 photocarrier radiometry  spectroscopic ellipsometry  photoluminescence  ultra-shallow junctions  silicon   Optical and photo-carrier characterization of ultra-shallow junctions in silicon 期刊论文 Science China: Physics, Mechanics and Astronomy, 2013, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 1294-1300 作者:  Huang, Qiuping;  Li, Bincheng;  Ren, Shengdong 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/11/21 Characterization of silicon wafers with combined photocarrier radiometry and free carrier absorption 期刊论文 International Journal of Thermophysics, 2013, 卷号: 34, 期号: 8-9, 页码: 1735-1745 作者:  Li, Bincheng;  Huang, Qiuping;  Ren, Shengdong 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/11/21 Photocarrier radiometry of ion-implanted and thermally annealed silicon wafers with multiple-wavelength excitations 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 111, 期号: 9 作者:  Huang, Qiuping;  Li, Bincheng 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/07/10 Photocarrier radiometry of ion-implanted and thermally annealed silicon wafers with multiple-wavelength excitations 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2012, 卷号: 111, 期号: 9, 页码: 093729 作者:  Huang, Qiuping;  Li, Bincheng 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/11/21