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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interface effect on the electronic structure and optical properties of InAs/GaSb superlattices 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 42, 页码: 425103 Lang, XL; Xia, JB 收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2012/01/06 GASB SUPER-LATTICE  SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES  DEFORMATION POTENTIALS  II SUPERLATTICES  BAND PARAMETERS  DETECTORS  APPROXIMATION  TRANSITIONS   Fine structural splitting and exciton spin relaxation in single InAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 10, 页码: art. no. 103516 Dou XM; Sun BQ; Xiong YH; Niu ZC; Ni HQ; Xu ZY 收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2010/03/08 deformation  excitons  fine structure  III-V semiconductors  indium compounds  phonons  photoluminescence  semiconductor quantum dots  spin dynamics   Stress and its effect on optical properties of GaN epilayers grown on Si(111), 6H-SiC(0001), and c-plane sapphire 期刊论文 applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: 677-679 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：1038/2  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  RAMAN-SCATTERING  ALPHA-GAN  ALN  LAYERS  STRAIN  WURTZITE  FILMS   Pressure dependence of the electronic subband structure of strained In0.2Ga0.8As/GaAs MQWs 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 1996, 卷号: 198, 期号: 1, 页码: 329-335 Li GH; Goni AR; Syassen K; Hou HQ; Feng W; Zhou JM 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/11/17 MULTIPLE QUANTUM-WELLS  HYDROSTATIC-PRESSURE  DEFORMATION POTENTIALS  EXCITON ABSORPTION  PHOTOLUMINESCENCE  SPECTROSCOPY  GAAS   High-pressure study of optical transitions in strained In0.2Ga0.8As/GaAs multiple quantum wells 期刊论文 physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 19, 页码: 13820-13826 Li GH; Goni AR; Syassen K; Hou HQ; Feng W; Zhou JM 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/11/17 HYDROSTATIC-PRESSURE  EXCITON ABSORPTION  DEFORMATION POTENTIALS  LAYER SUPERLATTICES  BAND OFFSET  PHOTOLUMINESCENCE  GAAS  SPECTROSCOPY  DEPENDENCE  TEMPERATURE   1ST PRINCIPLES PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS OF ZONE BOUNDARY PHONON FREQUENCIES OF III-V-ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS 期刊论文 physics letters a, 1991, 卷号: 155, 期号: 0, 页码: 506-509 WANG JQ; GU ZQ; LI MF 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/15 NORM-CONSERVING PSEUDOPOTENTIALS  LATTICE-DYNAMICS  DEFORMATION POTENTIALS  STRUCTURAL-PROPERTIES  GALLIUM-PHOSPHIDE  TIN  ALP