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科研机构
半导体研究所 [9]
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期刊论文 [9]
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2016 [1]
2013 [2]
2012 [1]
2010 [1]
1998 [2]
1997 [2]
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学科主题
半导体物理 [9]
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学科主题:半导体物理
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Helicity-dependent photocurrent induced by the in-plane transverse electric current in an InAs quantum well
期刊论文
scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 31189
J. B. Li
;
X. G. Wu
;
G. W. Wang
;
Y. Q. Xu
;
Z. C. Niu
;
X. H. Zhang
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2017/03/16
Anisotropic current-controlled magnetization reversal in the ferromagnetic
期刊论文
applied physics letters, 2013, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: 022401
Li, Yuanyuan
;
Cao, Y. F.
;
Wei, G. N.
;
Li, Yanyong
;
Ji, Y.
;
Wang, K. Y.
;
Edmonds, K. W.
;
Campion, R. P.
;
Rushforth, A. W.
;
Foxon, C. T.
;
Gallagher, B. L.
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2014/03/26
Strain tuning of optical emission energy and polarization in monolayer and bilayer MoS2
期刊论文
phys. rev. b, 2013, 卷号: 88, 页码: 121301
C. R. Zhu, G. Wang, B. L. Liu, X. Marie, X. F. Qiao, X. Zhang, X. X. Wu, H. Fan, P. H. Tan, T. Amand, and B. Urbaszek
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2014/03/26
Robust optical emission polarization in MoS2 monolayers through selective valley excitation
期刊论文
physical review b, 2012, 卷号: 86, 期号: 8, 页码: 081301
Sallen G (Sallen, G.)
;
Bouet L (Bouet, L.)
;
Marie X (Marie, X.)
;
Wang G (Wang, G.)
;
Zhu CR (Zhu, C. R.)
;
Han WP (Han, W. P.)
;
Lu Y (Lu, Y.)
;
Tan PH (Tan, P. H.)
;
Amand T (Amand, T.)
;
Liu BL (Liu, B. L.)
;
Urbaszek B (Urbaszek, B.)
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/04/02
Domain wall resistance in perpendicular (Ga,Mn) As: Dependence on pinning
期刊论文
journal of magnetism and magnetic materials, 2010, 卷号: 322, 期号: 21, 页码: 3481-3484
Wang KY (Wang K. Y.)
;
Edmonds KW (Edmonds K. W.)
;
Irvine AC (Irvine A. C.)
;
Wunderlich J (Wunderlich J.)
;
Olejnik K (Olejnik K.)
;
Rushforth AW (Rushforth A. W.)
;
Campion RP (Campion R. P.)
;
Williams DA (Williams D. A.)
;
Foxon CT (Foxon C. T.)
;
Gallagher BL (Gallagher B. L.)
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浏览/下载:101/8
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提交时间:2010/09/07
Domain wall resistance
Pinning
Dependence
Observation of the third subband population in modulation-doped InGaAs/InAlAs heterostructure
期刊论文
chinese physics letters, 1998, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 57-59
作者:
Xu B
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY
TRANSISTOR STRUCTURES
ELECTRON
TEMPERATURE
DENSITY
Photoluminescence study of InxGa1-xAs/InyAl1-yAs one-side-modulation-doped asymmetric step quantum wells
期刊论文
solid state communications, 1998, 卷号: 106, 期号: 12, 页码: 811-814
作者:
Xu B
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
quantum wells
semiconductors
electronic band structure
luminescence
TRANSISTOR STRUCTURES
OPTICAL-TRANSITIONS
MASS
RENORMALIZATION
HETEROJUNCTIONS
LUMINESCENCE
DENSITY
FERMI-EDGE SINGULARITY
Molecular beam epitaxy growth of Iny2Al1-y2As/In0.73Ga0.27As/Iny1Al1-y1As/InP P-HEMTs with enhancement conductivity using an intentional nonlattice-matched buffer layer
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 1997, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 2021-2025
作者:
Xu B
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
HETEROSTRUCTURES
The third subband population in modulation-doped InGaAs/InAlAs heterostructures
期刊论文
journal of applied physics, 1997, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: 6107-6109
作者:
Xu B
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY
TRANSISTOR STRUCTURES
ELECTRON
TEMPERATURE
DENSITY
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