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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 2-μm single longitudinal mode GaSb-based laterally coupled distributed feedback laser with regrowth-free shallow-etched gratings by interference lithography 期刊论文 Chinese Physics B, 2016, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 024204 Cheng-Ao Yang; Yu Zhang; Yong-Ping Liao; Jun-Liang Xing; Si-Hang Wei; Li-Chun Zhang; Ying-Qiang Xu; Hai-Qiao Ni; Zhi-Chuan Niu 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2017/03/16 High quality above 3-μm mid-infrared InGaAsSb_AlGaInAsSb multiple-quantum well grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 Chin.Phys.B, 2013, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 017805 Xing Jun-Liang, Zhang Yu, Xu Ying-Qiang, Wang Guo-Wei, Wang Juan, Xiang Wei, Ni Hai-Qiao, Ren Zheng-Wei, He Zhen-Hong, Niu Zhi-Chuan 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2014/03/26 Enhancement of photoluminescence intensity of GaInNAs/GaAs quantum wells by two-step rapid thermal annealing 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2579-2582 Zhao H (Zhao Huan); Xu YQ (Xu Ying-Qiang); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); Han Q (Han Qin); Wu RH (Wu Rong-Han); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan) 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY  ORIGIN   分子束外延生长的（GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs）／GaAs量子阱光致发光谱研究 期刊论文 物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 2950-2954 作者:  牛智川;  江德生;  韩勤;  徐应强 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23 N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响 期刊论文 物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 5, 页码: 1474-1482 作者:  徐应强;  牛智川 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/23 基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23 倪海桥; 丁颖; 徐应强; 李密锋; 喻颖; 査国伟; 徐建新; 牛智川 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2014/11/17 一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 张立春; 王国伟; 张宇; 徐应强; 倪海桥; 牛智川 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/09/28