分子束外延生长的（GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs）／GaAs量子阱光致发光谱研究

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	分子束外延生长的（GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs）／GaAs量子阱光致发光谱研究
	牛智川; 江德生; 韩勤; 徐应强
刊名	物理学报
	2005
卷号	54 期号:6 页码:2950-2954
中文摘要	报道了(GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs)／GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果．变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质．讨论了光谱双峰结构的跃迁机制．通过优化生长条件，获得了室温1．31μm发光．
英文摘要	报道了(GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs)／GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果．变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质．讨论了光谱双峰结构的跃迁机制．通过优化生长条件，获得了室温1．31μm发光．; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:04:19导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4450.pdf: 279369 bytes, checksum: 3ee665b45d93e46e6f01a123c7d15a73 (MD5) Previous issue date: 2005; 国家自然科学基金,863计划资助,中国博士后科学基金支持的课题; 中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,863计划资助,中国博士后科学基金支持的课题
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16943]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	牛智川,江德生,韩勤,等. 分子束外延生长的（GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs）／GaAs量子阱光致发光谱研究[J]. 物理学报,2005,54(6):2950-2954.
APA	牛智川,江德生,韩勤,&徐应强.(2005).分子束外延生长的（GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs）／GaAs量子阱光致发光谱研究.物理学报,54(6),2950-2954.
MLA	牛智川,et al."分子束外延生长的（GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs）／GaAs量子阱光致发光谱研究".物理学报 54.6(2005):2950-2954.