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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Rapid thermal annealing of arsenic implanted Si1-xGex epilayers 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1997, 卷号: 122, 期号: 4, 页码: 639-642 Zou LF; Wang ZG; Sun DZ; Fan TW; Liu XF; Zhang JW 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/17 DIFFUSION  SILICON  SI  PRECIPITATION  TEMPERATURE   Damage removal and strain relaxation in As+-implanted Si0.57Ge0.43 epilayers grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 1997, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 209-212 Zou LF; Wang ZG; Sun DZ; Fan TW; Liu XF; Zhang JW 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 HETEROSTRUCTURES   Diffusion of ion implanted as in Si1-xGex epilayers 期刊论文 chinese physics letters, 1997, 卷号: 14, 期号: 1, 页码: 51-54 Zou LF; Wang ZG; Sun DZ; Fan TW; Liu XF; Zhang JW 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/17 SILICON  SI  PRECIPITATION  TEMPERATURE   Aggregation and precipitation in high dose as ion implanted Ge0.5Si0.5 alloy 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1996, 卷号: 119, 期号: 4, 页码: 510-514 Fan TW; Zou LF; Wang ZG; Hemment PLF; Greaves SJ; Watts JF 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/17 ELECTRICAL-PROPERTIES  SI0.5GE0.5 ALLOY  LAYERS  HETEROSTRUCTURES  SB  SUPERLATTICES  DIFFUSION  REGROWTH  SILICON  SI