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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：Engineering (provided by Thomson Reuters)     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 LiFePO4-LiNi1/3Co（1/3）Mn1/3O2混合材料对锂离子电池性能的影响 期刊论文 Journal of Functional Materials, 2012, 卷号: 43, 期号: 9, 页码: 1160-1163 作者:  窦俊青;  康雪雅;  吐尔迪·吾买尔;  韩英 收藏  |  浏览/下载：105/0  |  提交时间：2013/11/07 锂离子电池  共混改性  正极材料  协同效应   12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应 期刊论文 核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 9, 页码: 669-674 作者:  吴雪;  陆妩;  王义元;  胥佳灵;  张乐情 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/29 BiCMOS  模数转换器  剂量率  60Coγ辐照   星载DC-DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究 期刊论文 原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 888-892 作者:  高博;  余学峰;  任迪远;  李豫东;  李茂顺 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/11/29 DC-DC电源转换器  辐射损伤效应  退火效应   电荷耦合器件的~(60)Co γ射线辐照损伤退火效应 期刊论文 原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 5, 页码: 603-607 作者:  李鹏伟;  郭旗;  任迪远;  于跃;  兰博 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/11/29 商用CCD  氧化物电荷  界面态  退火效应   运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1464-1468 作者:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/11/29 运算放大器  60Coγ辐照  退火  剂量率效应   80C31单片机电路总剂量效应研究 期刊论文 微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 584-586,590 作者:  匡治兵;  郭旗;  任迪远;  李爱武;  汪东 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/11/29 单片机  60Coγ辐照  辐射损伤  退火   p型单晶硅涂源掺锰新方法 期刊论文 电子元件与材料, 2005, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 21-23 作者:  崔志明;  巴维真;  陈朝阳;  蔡志军;  丛秀云 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/11/29 电子技术  扩散源  补偿度  固相反应  锰硅化物   JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性 期刊论文 核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 755-760 作者:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/11/29 JFET输入双极运算放大器  60Coγ辐照  剂量率效应  退火   高补偿硅的阻-温特性 期刊论文 电子元件与材料, 2004, 卷号: 23, 期号: 4 作者:  张建;  巴维真;  陈朝阳;  丛秀云;  陶明德 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/11/29 高补偿硅  光敏  深能级