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科研机构
新疆理化技术研究所 [11]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
2011 [4]
2010 [2]
2005 [5]
学科主题
Engineeri... [11]
Physics [1]
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PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究
期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456
作者:
李明
;
余学峰
;
卢健
;
高博
;
崔江维
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2012/11/29
PDSOI
SRAM
总剂量效应
功耗电流
退火效应
p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究
期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 6, 页码: 812-818
作者:
高博
;
余学峰
;
任迪远
;
崔江维
;
兰博
收藏
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浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2012/11/29
p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
60Co gamma-ray
total-dose irradiation damage effects
enhanced low dose rate sensitivity
12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应
期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 9, 页码: 669-674
作者:
吴雪
;
陆妩
;
王义元
;
胥佳灵
;
张乐情
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/11/29
BiCMOS
模数转换器
剂量率
60Coγ辐照
星载DC-DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究
期刊论文
原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 888-892
作者:
高博
;
余学峰
;
任迪远
;
李豫东
;
李茂顺
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/11/29
DC-DC电源转换器
辐射损伤效应
退火效应
电荷耦合器件的~(60)Co γ射线辐照损伤退火效应
期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 5, 页码: 603-607
作者:
李鹏伟
;
郭旗
;
任迪远
;
于跃
;
兰博
收藏
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浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2012/11/29
商用CCD
氧化物电荷
界面态
退火效应
电荷耦合器件的~(60)Coγ射线和电子辐射损伤效应
期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 124-128
作者:
李鹏伟
;
郭旗
;
任迪远
;
于跃
;
王义元
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/11/29
电荷耦合器件
位移损伤
γ射线
电子辐照
运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1464-1468
作者:
陆妩
;
任迪远
;
郭旗
;
余学峰
;
艾尔肯
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/11/29
运算放大器
60Coγ辐照
退火
剂量率效应
80C31单片机电路总剂量效应研究
期刊论文
微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 584-586,590
作者:
匡治兵
;
郭旗
;
任迪远
;
李爱武
;
汪东
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/11/29
单片机
60Coγ辐照
辐射损伤
退火
栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系
期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 227-230
作者:
陆妩
;
任迪远
;
郭旗
;
余学锋
;
郑毓峰
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/11/29
CMOS运算放大器
跨导
栅氧层
氧化物电荷
界面态
双极晶体管不同剂量率的辐射效应和退火特性
期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 925-928
作者:
陆妩
;
余学锋
;
任迪远
;
艾尔肯
;
郭旗
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/11/29
双极晶体管
60Coγ辐照
剂量率效应
退火
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