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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Telecommunication Wavelength-Band Single-Photon Emission from Single Large InAs Quantum Dots Nucleated on Low-Density Seed Quantum Dots 期刊论文 nanoscale research letters, 2016, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 382 Ze-Sheng Chen; Ben Ma; Xiang-Jun Shang; Yu He; Li-Chun Zhang; Hai-Qiao Ni; Jin-Liang Wang; Zhi-Chuan Niu 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/03/10 Effects of seed dot layer and thin GaAs spacer layer on the structure and optical properties of upper In(Ga)As quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 11, 页码: 8898-8902 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：262/9  |  提交时间：2010/08/12 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  GROWTH  ISLANDS  NM   Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 25, 页码: 3974-3976 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：76/9  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SURFACE POLARITY  SINGLE-CRYSTALS  BUFFER LAYER  GROWN GAN  DEPOSITION  MORPHOLOGY  QUALITY  ZNO   Effects of seed layer on the realization of larger self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 9, 页码: 5433-5436 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 INAS ISLANDS  GROWTH  GAAS  RELAXATION  EVOLUTION  GAAS(100)  THICKNESS  DENSITY  SIZE   BAND DISPERSION IN THE RECURSION METHOD 期刊论文 physical review b, 1991, 卷号: 43, 期号: 15, 页码: 12464-12469 WANG YL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 ELECTRONIC-STRUCTURE  SEMICONDUCTORS  SILICON  DISLOCATIONS  ENVIRONMENT  DEFECTS  STATES