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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [2]
发表日期
2009 [1]
2004 [2]
2002 [2]
1998 [2]
学科主题
半导体物理 [7]
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学科主题:半导体物理
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Strong Spin-Orbit Interactions in an InAlAs/InGaAs/InAlAs Two-Dimensional Electron Gas by Weak Antilocalization Analysis
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: art. no. 063004
Sun L
;
Zhou WZ
;
Yu GL
;
Shang LY
;
Gao KH
;
Zhou YM
;
Lin T
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Chu JH
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浏览/下载:73/0
  |  
提交时间:2010/03/08
QUANTUM-WELLS
GRADED HETEROSTRUCTURES
LOCALIZATION
SCATTERING
SYSTEMS
TIME
HETEROJUNCTIONS
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 336-341
作者:
Zhang YH
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:285/63
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提交时间:2010/03/09
molecular beam epitaxy
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
作者:
Zhang YH
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
quantum wells
GaAsSb/GaAs
GAAS
LASERS
GAIN
Comparative study on the broadening of exciton luminescence linewidth due to phonon in zinc-blende and wurtzite GaN epilayers
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 23, 页码: 4389-4391
Xu SJ
;
Zheng LX
;
Cheung SH
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
CUBIC GAN
BINDING-ENERGY
PHOTOLUMINESCENCE
PRESSURE
ELECTRON
GAAS
ALN
Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates
期刊论文
international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 1-2, 页码: 165-172
Xie MH
;
Cheung SH
;
Zheng LX
;
Tong SY
;
Zhang BS
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:141/42
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Sequential resonant tunnelling through Landau levels in GaAs/AlAs superlattices
会议论文
2nd international conference on low dimensional structures and devices, lisbon, portugal, may 19-21, 1997
作者:
Liu J
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/15
GaAs/AlAs
superlattices
transport
tunnelling
Landau level
NEGATIVE DIFFERENTIAL CONDUCTIVITY
LOW-FIELD MOBILITY
SEMICONDUCTOR SUPERLATTICE
TEMPERATURE-DEPENDENCE
CONDUCTANCE
TRANSPORT
LOCALIZATION
MINIBANDS
Fermi-edge singularity observed in a modulation-doped AlGaN/GaN heterostructure
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 17, 页码: 2471-2472
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/08/12
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
LUMINESCENCE SPECTRA
ABSORPTION
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