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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The influence of low-temperature Ge seed layer on growth of high-quality Ge epilayer on Si(100) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 10, 页码: 2508-2513 Zhou ZW; Li C; Lai HK; Chen SY; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：58/12  |  提交时间：2010/03/08 characterization   Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy 会议论文 2nd ieee international nanoelectronics conference, shanghai, peoples r china, mar 24-27, 2008 Liang, LY; Ye, XL; Jin, P; Chen, YH; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/03/09 INDUCED REFRACTIVE-INDEX  GROWTH  LASERS  GAAS   Structure and optical properties of upper In(Ga)As quantum dots on a different seed layer with a thin GaAs spacer layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 49-54 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  molecular beam epitaxy  nanomaterials  semiconducting III-V materials  SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  GROWTH  INP   Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 low dimensional structures  molecular beam epitaxy  nanomaterials  INAS ISLANDS  GAAS  GROWTH  GAAS(100)  THICKNESS  DENSITY   Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1005-1009 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：126/19  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  molecular beam epitaxy  nanomaterials  INAS ISLANDS  GAAS  GROWTH  GAAS(100)  THICKNESS  DENSITY