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科研机构
半导体研究所 [18]
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期刊论文 [15]
会议论文 [3]
发表日期
2011 [3]
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2009 [2]
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2007 [2]
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学科主题
光电子学 [18]
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学科主题:光电子学
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Highly efficient 1.53 mu m luminescence in ErxYb2-xSi2O7 thin films grown on Si substrate
期刊论文
materials letters, 2011, 卷号: 65, 期号: 5, 页码: 860-862
Zheng J
;
Tao YL
;
Wang W
;
Zhang LZ
;
Zuo YH
;
Xue CL
;
Cheng BW
;
Wang QM
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浏览/下载:66/3
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提交时间:2011/07/05
Luminescence
Optical materials and properties
Sputtering
Thin films
PHOTOLUMINESCENCE
ER3+
Efficient 1.53 mu m emission and energy transfer in Si/Er-Si-O multilayer structure
期刊论文
materials research bulletin, 2011, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 262-265
作者:
Xue CL
收藏
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浏览/下载:65/4
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提交时间:2011/07/05
Multilayers
Inorganic compounds
Sputtering
Optical properties
DOPED SI/SIO2 SUPERLATTICES
ERBIUM SILICATE
ER3+
LUMINESCENCE
FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
Luminescence enhancement from Si-based materials by introducing a photonic crystal double-heterostructure slot waveguide microcavity
期刊论文
optoelectronics letters, 2011, 卷号: 7, 期号: 4, 页码: 266-268
Wang, Yue
;
Wu, Yuan-da
;
Zhang, Jia-shun
;
An, Jun-ming
;
Hu, Xiong-wei
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/06/14
Electromagnetic fields
Finite difference time domain method
Luminescence
Photonic crystals
Silicon compounds
Time domain analysis
Waveguides
Carrier capture by threading dislocations in (In,Ga)N/GaN heteroepitaxial layers
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 81, 期号: 12, 页码: art. no. 125314
作者:
Wang H
;
Wang H
;
Yang
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:122/5
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提交时间:2010/04/28
GAN
ALLOYS
Effect of beta-irradiation on photoluminescence of MOCVD grown GaN
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2009, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 14-16
Majid A
;
Israr M
;
Zhu JJ
;
Ali A
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浏览/下载:267/76
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提交时间:2010/03/08
ELECTRON-IRRADIATION
GALLIUM NITRIDE
THIN-FILMS
Photoluminescence from heterogeneous SiGe/Si nanostructures prepared via a two-step approach strategy
期刊论文
journal of luminescence, 2009, 卷号: 129, 期号: 9, 页码: 1073-1077
Zhou B
;
Pan SW
;
Chen SY
;
Li C
;
Lai HK
;
Yu JZ
;
Zhu XF
收藏
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浏览/下载:92/3
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提交时间:2010/03/08
Heterostructure
Nanostructure
Porous Si
Porous SiGe
Photoluminescence
Cathodoluminescence study of GaN-based film structures
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2008, 卷号: 19, 页码: s58-s63 suppl. 1
作者:
Yang H
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Zhang SM
;
Yang H
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/03/08
Correlation between optical and structural properties of (Al,Ga)N layers grown by MOCVD
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2007, 卷号: 204, 期号: 1, 页码: 294-298
Jahn U (Jahn Uwe)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Ploog KH (Ploog Klaus H.)
;
Wang XL (Wang Xiaolan)
;
Zhao DG (Zha0 Degang)
;
Yang H (Yang, Hui)
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Photoluminescence study of AlGaInP/GaInP quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 309, 期号: 2, 页码: 140-144
Lin, T
;
Zheng, K
;
Wang, CL
;
Ma, XY
收藏
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浏览/下载:38/3
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提交时间:2010/03/08
diffusion
metalorganic vapor phase epitaxy
semiconducting III-V materials
laser diodes
Defect influence on luminescence efficiency of GaN-based LEDs
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 371-374
Li SP (Li Shuping)
;
Fang ZL (Fang Zhilai)
;
Chen HY (Chen Hangyang)
;
Li JC (Li Jinchai)
;
Chen XH (Chen Xiaohong)
;
Yuan XL (Yuan Xiaoli)
;
Sekiguchi T (Sekiguchi Takashi)
;
Wang QM (Wang Qiming)
;
Kang JY (Kang Junyong)
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/04/11
defects
GaN
luminescence efficiency
LED
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