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Technique for a surface-emitting laser diode with a metal reflector 专利
专利号: US6656756, 申请日期: 2003-12-02, 公开日期: 2003-12-02
作者:  HORNG, RAY-HUA;  WU, DONG-SING;  PENG, WEI-CHIH;  HO, WEN-JENG;  HUANG, YING-SHUN
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用电子回旋共振微波等离子体制备超薄氮化硅薄膜 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2003-10-15, 公开日期: 2003-10-15
刘益春; 吕有明; 刘玉学; 张吉英; 申德振; 范希武
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半導体レーザ装置及びバーコード読み取り装置 专利
专利号: JP2003229628A, 申请日期: 2003-08-15, 公开日期: 2003-08-15
作者:  加藤 英治;  相澤 秀邦;  松浦 民明;  伊沢 久隆;  小室 悟
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金属反射鏡を持つ表面反射型レーザーダイオードの製造方法 专利
专利号: JP2003078206A, 申请日期: 2003-03-14, 公开日期: 2003-03-14
作者:  洪瑞華;  武東星;  彭韋智;  何文章;  黄英勳
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化合物半導体基板の作製方法 专利
专利号: JP3403844B2, 申请日期: 2003-02-28, 公开日期: 2003-05-06
作者:  太刀川 正美;  森 英史;  山田 武;  佐々木 徹
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大量程对称斜置应变片 专利
申请日期: 2003-01-01,
作者:  吴家麒[1];  钱晋武[2];  沈林勇[3];  章亚男[4];  杨东英[5]
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