| 金属反射鏡を持つ表面反射型レーザーダイオードの製造方法 | |
| 洪瑞華; 武東星; 彭韋智; 何文章; 黄英勳 | |
| 2003-03-14 | |
| 著作权人 | CHUNGHWA TELECOM CO LTD |
| 专利号 | JP2003078206A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 金属反射鏡を持つ表面反射型レーザーダイオードの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】低価格化、時間の短縮化及び高精度化を図ることができる金属反射鏡を持つ表面反射型レーザーダイオードの製造方法を提供する。 【解決手段】本発明に係る金属反射鏡を持つ表面反射型レーザーダイオードの製造方法は、金属ミラーにWaferボンデッド技術を組み合わせたもので、従来のWafers方式あるいは高温高圧Waferボンデッド技術によってVCSELを製作するBargg反射鏡に取って替わるものである。金属ミラーは高反射率を持ち、VCSEL材料と形成するオームコンタクトの金属を選択することが可能である。また、金属ミラーの基板は、価格が安く放熱効果のよい基板を選択することができる。その製作過程は簡単で、製作コストも低く押さえることが可能で、VCSELの特性が良好であるという特徴を持つ。 |
| 公开日期 | 2003-03-14 |
| 申请日期 | 2001-08-28 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86109]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | CHUNGHWA TELECOM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 洪瑞華,武東星,彭韋智,等. 金属反射鏡を持つ表面反射型レーザーダイオードの製造方法. JP2003078206A. 2003-03-14. |
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