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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2002 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
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发表日期:2002
学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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Structure and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots with In0.15Ga0.85As underlying layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 395-400
作者:
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2010/08/12
photoluminescence
molecular beam epitaxy
nanomaterials
quantum dots
semiconducting III-V materials
1.3 MU-M
TEMPERATURE-DEPENDENCE
EXCITED-STATES
INXGA1-XAS
GROWTH
LASERS
INP
分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2002, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 202-204
孙殿照
;
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
刘宏新
;
刘成海
;
曾一平
;
李晋闽
;
林兰英
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提交时间:2010/11/23
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